Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Markt 2021 – Branchenforschung, Anteil, Trend, Nachfrage und Zukunftsanalyse, Top-Key-Player, Chancen und Wachstumsprognose 2024

Der globale Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Marktbericht hebt die wichtigsten Punkte und Trends der Branche hervor und enthält eine umfassende Analyse von Marktumfang, Struktur, Potenzial, Variationen und finanziellen Faktoren, die den Markt beeinflussen. Der Bericht enthält auch Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Marktgröße, Marktanteil, Produkt- und Verkaufsvolumen, Umsatz und Wachstumsrate. Der Marktforschungsbericht Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) konzentriert sich auf führende Akteure und bewertet deren Marktanteil und Wachstum im Prognosezeitraum. Der Bericht analysiert den Markt von Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) nach Hauptherstellern und geografischen Regionen.

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Marktübersicht:

Der globale IGBT Markt wurde auf USD 4,92 Milliarden im Jahr 2018 geschätzt und wird voraussichtlich USD 8,55 Milliarden bis 2024, bei einer CAGR von 9,66%, während dem Prognosezeitraumes (2019-2024) erreichen. Der breite Einsatzbereich der IGBTs lockte mehr neue Unternehmen in den Markt zu wagen. IGBT aktiviert / modifiziert elektrische Energie in mehreren modernen Geräten, wie zum Beispiel, Herde, Mikrowellen, elektrische Autos, Züge, mit variabler Frequenz Antriebe (VFD), variable Geschwindigkeit Kühlschränke, Klimaanlagen, Lampenvorschaltgeräten, kommunalen Kraftübertragungssysteme und Stereoanlagen, welche gut mit Schaltverstärkern.

– durch Kohlenstoff Emissionsregulierung Driven, der Automobilmarkt wird in Elektro- und Hybridfahrzeuge (EV / HEV) zur Elektrifizierung des Antriebs bewegt wird, wobei Leitungs- und Schaltverluste deutlich verringert werden, einen direkten Einfluss auf den Gesamtwirkungsgrad aufweisen.

– Der Verkauf von Elektroautos in Europa, Nordamerika und China schafft neue Möglichkeiten für IGBTs, um der Support-Infrastruktur und für EV Herstellung. So ist die Haltung der IGBT im Markt weiter gestärkt.

– IGBTs konnte nicht in den Markt für Niederspannungsbereiche (<400 V) durchdringt, da sie zeigen keine wesentlichen Vorteile gegenüber MOSFETs verglichen. Es kann nicht mit begrenztem Freilaufstrom, da es dem Körper-Drain-Diode und einen großen Strom Schwanz fehlt. IGBTs sind zur Erwärmung Probleme anfällig, da sie bei sehr hohen Frequenzen und unter hohen Leistung laufen. Thermische Charakterisierung hilft, die IGBTs Layout, Struktur zu optimieren und Montage ihrer Leistung zu optimieren.

Analyse der wichtigsten Spieler:
Der Weltmarkt ist qualitativ und preislich hochkonzentriert, es konkurrieren nur wenige Player. Diese Unternehmen konzentrieren sich darauf, ihre Marktpräsenz durch Strategien wie Akquisitionen, Produkteinführungen und operative Diversifizierung zu erweitern.
Im Folgenden sind einige der Hauptakteure des Marktes aufgeführt:
Renesas Electronics Corporation
Infineon Technologies AG
Fuji Electric Co. Ltd
ROHM Co. Ltd
SEMIKRON International GmbH
Mitsubishi Electric Corp.
Toshiba Corp.
Hitachi Ltd
ON Semiconductor
ABB Ltd

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Wichtige Markttrends:
 
 EV / HEV das Wachstum von IGBT-Drive
 
 – Viele neue aufkommende Technologien, wie zum Beispiel das Wachstum von Elektroautos und Hybridfahrzeuge verwenden IGBT-Module, da ein höheres Maß an Zuverlässigkeit für den Einsatz in Elektrofahrzeugen (EV) und Hybrid-Elektrofahrzeuge als die typischen industriellen Zwecken erforderlich ist.
– die Zuverlässigkeit von IGBT-Modulen im Vergleich zu anderen Systemen ist der primäre Faktor, der einen großen Einfluss auf das Wachstum des Marktes mit
-. nach EEI waren die insgesamt EV-Verkäufe für 2018 um 40% im Vergleich zu 2017. BMW und Volvo stach mit einem viel höheren Anteil an EV Umsatz als andere Autohersteller (ohne Tesla)
. – Die Vereinigten Staaten, die Gastgeber maximale EVs (also maximalen Marktanteil für IGBT hat), haben die Jahre EV Umsatz gesehen Erhöhung über.
 
 Asien-Pazifik zu Witness das schnellste Wachstum
 
 – Im Jahr 2018 wird alle Elektrofahrzeuge 3% Anteil in der Mischung seit 2017 gewonnen haben, durch Wachstum in China angetrieben
-. Nach EVVOLUMES, im Jahr 2018 größten Wachstumstreiber war China, wo der Umsatz um 1 um mehr als 500 000 Einheiten erhöht , 2 Millionen in 2018.
– China stand für 56% aller Plug-in Vertrieb, während im Fall von Neighborhood Electric Vehicle (NEV), 520 000 oder 78% mehr im Jahr 2018 Majorly an die verkauft wurden wegen Steigerung der Produktion von Elektrofahrzeugen in der Region ist der Markt erwartet eine deutliche Wachstumsrate in der Region zu erleben.

Unser Bericht bietet:
• Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Marktsegmentbewertungen für die Abschnitte auf regionaler und Länderebene
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Berichterstattung über den Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Marktbericht –
• Der Bericht untersucht die politischen, sozialen, wirtschaftlichen, technologischen und ökologischen Faktoren, die das Marktwachstum in mehreren Regionen fördern.
• Der Bericht enthält eine eingehende Analyse der verschiedenen Faktoren, die den Markt antreiben, einschränken und Chancen schaffen.
• Der Bericht bietet eine umfassende Bewertung der wichtigsten Marktteilnehmer und ihrer Wachstumsstrategien.
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Der Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Marktbericht behandelt folgende Punkte im Inhaltsverzeichnis:
1. EINLEITUNG
2 FORSCHUNGSMETHODE
3 ZUSAMMENFASSUNG
4 MARKTDYNAMIK
4.1 Marktübersicht
4.2 Einführung in Markttreiber und -beschränkungen
4.3 Markttreiber
5 MARKTSEGMENTIERUNG
6 WETTBEWERBSLANDSCHAFT
7 MARKTCHANCEN UND ZUKÜNFTIGE TRENDS
7.1 Investitionsanalyse
7.2 Zukunft des Marktes
Fortsetzen………………

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